wyposażenie
laboratorium nanotechnologii

na czym pracujemy?

Mikroskop SEM/Ga-FIB FEI Helios NanoLab 600i

Dwuwiązkowy mikroskop SEM/Ga-FIB firmy FEI  łączy zalety ultrawysokorozdzielczego mikroskopu elektronowego i mikroskopu jonowego. Może być zatem stosowany do obrazowania w wysokiej rozdzielczości, a także jako narzędzie do obróbki materiałów. Energia skupionej wiązki jonów galu pozwala na selektywne usuwanie i modyfikowanie materiału preparatu w nanoskali. Wiąże się to z możliwością wykonywania przekrojów, rekonstrukcji 3D oraz preparatyki próbek TEM, a także  procesów   prototypowania   w   nano- i mikroskali. Detektory dostępne to ETD, TLD, CBS i EDS.

* W celu uzyskania bardziej szczegółowych informacji prosimy o kontakt z naszymi inżynierami.

zastosowanie

  • Ultrawysokorozdzielcze obrazowanie powierzchni preparatu.
  • Tworzenie i analiza przekrojów w nano- i mikroskali.
  • Selektywne nanoszenie materiałów w technologii FEBID i FIBID.*
  • Obrazowanie kontrastu materiałowego preparatu.
  • Możliwość charakteryzacji szerokiego spektrum preparatów przewodzących i nieprzewodzących bez ich modyfikacji.*
  • Trójwymiarowa rekonstrukcja preparatu na podstawie obrazów SEM oraz pierwiastkowych map EDS (objętość około 1 000 μm3).
  • Przygotowywanie wysokiej jakości próbek TEM o grubości poniżej 100 nm.
  • Szybkie prototypowanie struktur przestrzennych w mikroskali.

parametry

Zakres napięć przyspieszających:

  • kolumna elektronowa: 350 V -30 kV (w trybie Beam Deceleration od 50 V),
  • kolumna jonowa: 500 V – 30 kV.

Rozdzielczość:

  • wiązka elektronowa: 1 nm,*
  • wiązka jonów: 2,5 nm.*

Maksymalne parametry preparatu:

  • średnica: 150 mm z pełnym obrotem próbki (możliwy montaż większych preparatów*),
  • wysokość: 100 mm,
  • maksymalna waga: 500 g (wliczając uchwyt preparatu).

detektory

  • ETD (elektrony wtórne)
  • TLD (elektrony wtórne)
  • ICE (jony wtórne)
  • CBS (elektrony wstecznie rozproszone)

Zdjęcie

Mikroskop SEM/Xe-PFIB FEI Helios G4 PFIB CXe

Helios G4 PFIB CXe to dwuwiązkowy mikroskop z kolumną elektronową i kolumną jonową generującą wiązkę jonów ksenonu. Technologia skupionej wiązki jonów plazmy ksenonu (Xe-PFIB) pozwala na nowe, nieosiągalne innymi metodami badania. W połączeniu z ultrawysokorozdzielczym mikroskopem elektronowym oraz szybkim detektorem EDS marki Bruker jest jedynym w Polsce dostępnym komercyjnie takim systemem analitycznym. Wyróżnia go między innymi do 50 razy szybsza praca niż w przypadku technologii galowej (Ga-FIB), brak implantacji jonów oraz kompatybilność z większością materiałów – w tym również próbek aluminiowych oraz zawierających gal. Detektory dostępne to ETD, TLD, ICE, ICD, EDS. 

* W celu uzyskania bardziej szczegółowych informacji prosimy o kontakt z naszymi inżynierami.

zastosowanie

  • Ultrawysokorozdzielcze obrazowanie powierzchni preparatu.
  • Tworzenie map pierwiastkowych EDS, analizy punktowe oraz liniowe składu pierwiastkowego.
  • Tworzenie i analiza przekrojów w nano- i mikroskali.
  • Selektywne nanoszenie materiałów w technologii FEBID i FIBID.*
  • Obrazowanie kontrastu materiałowego preparatu.
  • Możliwość charakteryzacji szerokiego spektrum preparatów przewodzących i nieprzewodzących bez ich modyfikacji.*
  • Trójwymiarowa rekonstrukcja preparatu na podstawie obrazów SEM oraz pierwiastkowych map EDS (objętość około 1 000 000 μm3).
  • Przygotowywanie wysokiej jakości próbek TEM o grubości poniżej 100 nm – kompatybilność z materiałami na bazie aluminium i galu.
  • Szybkie prototypowanie struktur przestrzennych w mikroskali.
  • Trawienie materiałów bez pozostawiania artefaktów (np. implantacja galu).

parametry

Zakres napięć przyspieszających:

  • kolumna elektronowa: 50 V – 30 kV,
  • kolumna jonowa: 2 kV – 30 kV.

Rozdzielczość:

  • kolumna elektronowa: 1 nm,
  • kolumna jonowa: <25 nm.*

Maksymalne parametry preparatu:

  • średnica: 150 mm z pełnym obrotem próbki (możliwy montaż większych preparatów*),
  • wysokość: 100 mm,
  • maksymalna waga: 500 g (wliczając uchwyt preparatu).

detektory

  • ETD (elektrony wtórne)
  • TLD (elektrony wtórne)
  • ICE (jony wtórne)
  • CBS (elektrony wstecznie rozproszone)
  • EDS (charakterystyczne promieniowanie rentgenowskie*)

Zdjęcie

Mikroskop Quanta 3D 200i ESEM/Ga-FIB

Mikroskop Quanta 3D 200i ESEM/Ga-FIB łączy w sobie mikroskop elektronowy bazujący na katodzie wolframowej oraz mikroskop jonowy. Jego ogromną zaletą jest możliwość skorzystania z trzech trybów obrazowania: wysokopróżniowego (Hi-Vac), niskopróżniowego (Lo-Vac) i środowiskowego (ESEM). W zależności od rodzaju próbki, zdolność rozdzielczą mikroskopu ocenia się na ok. 300-500 nm. Tryb niskiej próżni (Lo-Vac) umożliwia obrazowanie suchych próbek nieprzewodzących bez jakiejkolwiek uprzedniej preparatyki. Natomiast obrazowanie SEM w trybie środowiskowym ze względu na kontrolowaną próżnię umożliwia badanie preparatów biologicznych i innych, które w warunkach próżni zaczynają gazować. Mogą być to próbki w postaci płynnej i stałej, próbki o wysokiej wilgotności oraz wszystkie próbki niekompatybilne z wysoką próżnią, np. tkanki roślinne oraz zwierzęce. Detektory dostępne to ETD, BSE, LFD do Low Vac i GSED dla trybu ESEM.

Mikroskop konfokalny Olympus LEXT 3D Measuring Laser Microscope OLS5000-SAF

Konfokalny mikroskop Olympus LEXT 3D pozwala na precyzyjny pomiar kształtu i chropowatości powierzchni próbek na poziomie submikronowym. Dzięki możliwości wykonywania dokładnych pomiarów 3D na szerokim zakresie typów próbek, dostarcza on wiarygodnych danych potrzebnych do zapewnienia jakości i kontroli procesów wytwórczych. Jednocześnie mikroskop ten umożliwia obrazowanie mikrostruktury materiałów, co pozwala na podstawową weryfikację zgodności materiału ze stawianymi mu wymaganiami – w tym analizy potencjalnie występujących defektów takich jak wtrącenia niemetaliczne, mikropęknięcia, porowatości lub inne nieciągłości materiału.

Stanowisko laserowe

Unikatowe stanowisko laserowe zbudowane przez nasz zespół z niezależnych elementów składa się z lasera femtosekundowego, pięcioosiowej głowicy (działającej m.in. w trybie trepanacji) oraz ruchomego stołu zwiększającego możliwości produkcyjne wykonywania nawet bardzo skomplikowanych geometrii. Jego przewagą jest również zminimalizowanie oddziaływań cieplnych w obrabianym materiale, pozwalając na bardzo precyzyjną i czystą pracę, bez konieczności dalszej obróbki. Nadaje się do mikroobróbki oraz produkcji mikrokomponentów. Szerokie zastosowanie znajduje również w obróbce elementów optycznych (kryształy fotoniczne, światłowody, mikrosoczewki) oraz mikroukładach elektromechanicznych (MEMS).

Jak możemy pomóc?

lub porozmawiaj ze specjalistą:
(+48) 698 634 963
lab@nanores.pl