wyposażenie
laboratorium nanotechnologii

na czym pracujemy?

Mikroskop SEM/Ga-FIB FEI Helios NanoLab 600i

Dwuwiązkowy mikroskop SEM/Ga-FIB firmy FEI  łączy zalety ultrawysokorozdzielczego mikroskopu elektronowego i mikroskopu jonowego. Może być zatem stosowany do obrazowania w wysokiej rozdzielczości, a także jako narzędzie do obróbki materiałów. Energia skupionej wiązki jonów galu pozwala na selektywne usuwanie i modyfikowanie materiału preparatu w nanoskali. Wiąże się to z możliwością wykonywania przekrojów, rekonstrukcji 3D oraz preparatyki próbek TEM, a także  procesów   prototypowania   w   nano- i mikroskali. Detektory dostępne to ETD, TLD, CBS i EDS.

* W celu uzyskania bardziej szczegółowych informacji prosimy o kontakt z naszymi inżynierami.

zastosowanie

  • Ultrawysokorozdzielcze obrazowanie powierzchni preparatu.
  • Tworzenie i analiza przekrojów w nano- i mikroskali.
  • Selektywne nanoszenie materiałów w technologii FEBID i FIBID.*
  • Obrazowanie kontrastu materiałowego preparatu.
  • Możliwość charakteryzacji szerokiego spektrum preparatów przewodzących i nieprzewodzących bez ich modyfikacji.*
  • Trójwymiarowa rekonstrukcja preparatu na podstawie obrazów SEM oraz pierwiastkowych map EDS (objętość około 1 000 μm3).
  • Przygotowywanie wysokiej jakości próbek TEM o grubości poniżej 100 nm.
  • Szybkie prototypowanie struktur przestrzennych w mikroskali.

parametry

Zakres napięć przyspieszających:

  • kolumna elektronowa: 350 V -30 kV (w trybie Beam Deceleration od 50 V),
  • kolumna jonowa: 500 V – 30 kV.

Rozdzielczość:

  • wiązka elektronowa: 1 nm,*
  • wiązka jonów: 2,5 nm.*

Maksymalne parametry preparatu:

  • średnica: 150 mm z pełnym obrotem próbki (możliwy montaż większych preparatów*),
  • wysokość: 100 mm,
  • maksymalna waga: 500 g (wliczając uchwyt preparatu).

detektory

  • ETD (elektrony wtórne)
  • TLD (elektrony wtórne)
  • ICE (jony wtórne)
  • CBS (elektrony wstecznie rozproszone)

Zdjęcie

Mikroskop SEM/Xe-PFIB FEI Helios G4 PFIB CXe

Helios G4 PFIB CXe to dwuwiązkowy mikroskop z kolumną elektronową i kolumną jonową generującą wiązkę jonów ksenonu. Technologia skupionej wiązki jonów plazmy ksenonu (Xe-PFIB) pozwala na nowe, nieosiągalne innymi metodami badania. W połączeniu z ultrawysokorozdzielczym mikroskopem elektronowym oraz szybkim detektorem EDS marki Bruker jest jedynym w Polsce dostępnym komercyjnie takim systemem analitycznym. Wyróżnia go między innymi do 50 razy szybsza praca niż w przypadku technologii galowej (Ga-FIB), brak implantacji jonów oraz kompatybilność z większością materiałów – w tym również próbek aluminiowych oraz zawierających gal. Detektory dostępne to ETD, TLD, ICE, ICD, EDS. 

* W celu uzyskania bardziej szczegółowych informacji prosimy o kontakt z naszymi inżynierami.

zastosowanie

  • Ultrawysokorozdzielcze obrazowanie powierzchni preparatu.
  • Tworzenie map pierwiastkowych EDS, analizy punktowe oraz liniowe składu pierwiastkowego.
  • Tworzenie i analiza przekrojów w nano- i mikroskali.
  • Selektywne nanoszenie materiałów w technologii FEBID i FIBID.*
  • Obrazowanie kontrastu materiałowego preparatu.
  • Możliwość charakteryzacji szerokiego spektrum preparatów przewodzących i nieprzewodzących bez ich modyfikacji.*
  • Trójwymiarowa rekonstrukcja preparatu na podstawie obrazów SEM (objętość około 1 000 000 μm3).
  • Przygotowywanie wysokiej jakości próbek TEM o grubości poniżej 100 nm – kompatybilność z materiałami na bazie aluminium i galu.
  • Szybkie prototypowanie struktur przestrzennych w mikroskali.
  • Usuwanie / modyfikowanie materiałów bez pozostawiania artefaktów (np. implantacja galu).

parametry

Zakres napięć przyspieszających:

  • kolumna elektronowa: 50 V – 30 kV,
  • kolumna jonowa: 2 kV – 30 kV.

Rozdzielczość:

  • kolumna elektronowa: 1 nm,
  • kolumna jonowa: <25 nm.*

Maksymalne parametry preparatu:

  • średnica: 150 mm z pełnym obrotem próbki (możliwy montaż większych preparatów*),
  • wysokość: 100 mm,
  • maksymalna waga: 500 g (wliczając uchwyt preparatu).

detektory

  • ETD (elektrony wtórne)
  • TLD (elektrony wtórne)
  • ICE (jony wtórne)
  • CBS (elektrony wstecznie rozproszone)
  • EDS (charakterystyczne promieniowanie rentgenowskie*)

Zdjęcie

Mikroskop Quanta 3D 200i ESEM/Ga-FIB

Mikroskop Quanta 3D 200i ESEM/Ga-FIB łączy w sobie mikroskop elektronowy bazujący na katodzie wolframowej oraz mikroskop jonowy. Jego ogromną zaletą jest możliwość skorzystania z trzech trybów obrazowania: wysokopróżniowego (Hi-Vac), niskopróżniowego (Lo-Vac) i środowiskowego (ESEM). W zależności od rodzaju próbki, zdolność rozdzielczą mikroskopu ocenia się na ok. 300-500 nm. Tryb niskiej próżni (Lo-Vac) umożliwia obrazowanie suchych próbek nieprzewodzących bez jakiejkolwiek uprzedniej preparatyki. Natomiast obrazowanie SEM w trybie środowiskowym ze względu na kontrolowaną próżnię umożliwia badanie preparatów biologicznych i innych, które w warunkach próżni zaczynają gazować. Mogą być to próbki w postaci płynnej i stałej, próbki o wysokiej wilgotności oraz wszystkie próbki niekompatybilne z wysoką próżnią, np. tkanki roślinne oraz zwierzęce. Detektory dostępne to ETD, BSE, LFD do Low Vac i GSED dla trybu ESEM.

Mikroskop konfokalny Olympus LEXT 3D Measuring Laser Microscope OLS5000-SAF

Konfokalny mikroskop Olympus LEXT 3D pozwala na precyzyjny pomiar kształtu i chropowatości powierzchni próbek na poziomie submikronowym. Dzięki możliwości wykonywania dokładnych pomiarów 3D na szerokim zakresie typów próbek, dostarcza on wiarygodnych danych potrzebnych do zapewnienia jakości i kontroli procesów wytwórczych. Jednocześnie mikroskop ten umożliwia obrazowanie mikrostruktury materiałów, co pozwala na podstawową weryfikację zgodności materiału ze stawianymi mu wymaganiami – w tym analizy potencjalnie występujących defektów takich jak wtrącenia niemetaliczne, mikropęknięcia, porowatości lub inne nieciągłości materiału.

Stanowisko metalograficzne

Kompleksowe stanowisko pozwala na przygotowanie zgładu (próbki) materiału do dalszej analizy. Dysponujemy możliwością obrazowania przy zastosowaniu technik laserowej mikroskopii konfokalnej, mikroskopii optycznej, skaningowej i transmisyjnej mikroskopii elektronowej oraz mikroskopii sił atomowych. Techniki te pozwalają na ocenę jakości powierzchni elementów oraz morfologii mikrostruktury w pełnym spektrum skali: od nano- do makro.

zastosowanie

  • analiza jakościowa mikrostruktury;
  • identyfikacja defektów i niezgodności materiału;
  • identyfikacja procesów technologicznych przeprowadzonych na badanym elemencie;
  • ocena wydzieleń grafitu pod względem kształtu, rozmieszczenia oraz rozmiaru;
  • pomiar grubości powłok metodą metalograficzną oraz metodą skaningowej mikroskopii elektronowej;
  • ocena zawartości wtrąceń niemetalicznych;
    ocena wielkości ziarna;
  • pomiar głębokości odwęglenia/nawęglenia metodą metalograficzną;
  • pomiar grubości warstw utwardzonych powierzchniowo metodą metalograficzną.

skład urządzeń

  • przecinarka metalograficzna;
  • urządzenie do inkludowania na gorąco;
  • szlifierko-polerka metalograficzna;
  • elektropolerka metalograficzna;
  • mikroskop metalograficzny DM2700 Leica.

zdjęcie

Stanowisko metalograficzne

Twardościomierz NEMESIS 51000G2/A

W pełni zautomatyzowany twardościomierz NEMESIS 51000G2/A umożliwia przeprowadzenie pomiarów z wykorzystaniem metod Brinella, Vickersa oraz Rockwella w zakresie obciążeń 0,010kgf – 250kgf. To istotne narzędzie przy ocenie wytrzymałości i właściwości mechanicznych materiałów.

zastosowanie

  • pomiar CHD | NHD (Nht) | SHD (Rht);
  • wykresy twardości 2D | 3D;
  • modyfikowalne rozkłady twardości;
  • pomiar odporności na kruche pękanie KIC.

metody pomiaru i zakresy

  • pomiar twardości metodą Vickersa według normy PN-EN ISO 6507-1 w zakresie obciążeń HV0.01 – HV150;
  • pomiar twardości metodą Brinella według normy PN-EN ISO 6506-1 w zakresie obciążeń HBW 2.5/6.25 – HBW 2.5/187.5;
  • pomiar twardości metodą Rockwella według normy PN-EN ISO 6508-1 w zakresie skali HRC;
  • pomiar case hardness depth (CHD) według normy PN-EN ISO 2639 lub PN-EN ISO 18203;
  • pomiar nitriding hardness depth (NHD | Nht) według normy DIN 50190-3;
  • pomiar surface hardness depth (SHD | Rht) według normy DIN 10328 (PN-EN 10328).

zdjęcie

Stanowisko laserowe

Unikatowe stanowisko laserowe zbudowane przez nasz zespół z niezależnych elementów składa się z lasera femtosekundowego, pięcioosiowej głowicy (działającej m.in. w trybie trepanacji) oraz ruchomego stołu zwiększającego możliwości produkcyjne wykonywania nawet bardzo skomplikowanych geometrii. Jego przewagą jest również zminimalizowanie oddziaływań cieplnych w obrabianym materiale, pozwalając na bardzo precyzyjną i czystą pracę, bez konieczności dalszej obróbki. Nadaje się do mikroobróbki oraz produkcji mikrokomponentów. Szerokie zastosowanie znajduje również w obróbce elementów optycznych (kryształy fotoniczne, światłowody, mikrosoczewki) oraz mikroukładach elektromechanicznych (MEMS).

Jak możemy pomóc?

umów demo day

lub porozmawiaj ze specjalistą:
(+48) 698 634 963
lab@nanores.pl